工程概況

某公司是生產多晶體硅半導體材料的專業(yè)公司。該公司多晶硅生產裝置所產生的酸性廢水、硅棒高純水洗產生的廢水、含硅廢水、浸蝕酸廢液等需要處理才能排放，處理后的廢水可以回用于噴淋塔、冷卻塔清洗等。

設計進水水量水質

  設計處理規(guī)模為：360m³/d。

  根據(jù)業(yè)主提供污水水質，數(shù)據(jù)如下（單位為mg/l）：

表1 廢水水質水量一覽表

污水處理排放標準

  根據(jù)業(yè)主要求規(guī)劃，廢水經(jīng)處理后出水的排放標準執(zhí)行廣東省地方標準《水污染物排放限值》（DB44/26-2001）第二時段一級標準和《城市污水的水質標準與再生水利用》（GB/T19923-05）之較嚴者，具體相關指標如下表2所示（單位為mg/l）：

表2 出水指標排放標準（單位mg/l，除pH外）

  廢水處理系統(tǒng)（MCR）出水可以達標或回用作為雜用水，也可經(jīng)過回用水處理系統(tǒng)進行處理，回用水系統(tǒng)出水水質可優(yōu)于自來水水質要求，滿足超純水系統(tǒng)進水水質。

工藝設計分析

   廢水經(jīng)過一級物化處理后，達到表三標準排放的廢水，主要成份含量：Cu≤5ppm、硅粉等微量固形物、懸浮物；需要進行膜處理才能達到回用水質指標。

污水處理工藝流程圖

工藝說明

  ①介質濾器、活性炭濾器和其它制程產生的水進入廢水處理系統(tǒng)調節(jié)池，與工業(yè)廢水綜合后進行物化沉淀處理。

  ②工業(yè)廢水經(jīng)過“調節(jié)池+絮凝反應池+斜管沉淀池+MCR膜化學反應器”處理，去除殘留的微量固形物、懸浮物。經(jīng)MCR產水泵到收集水箱。水量：18m³/h（360m³/D）。

  ③產水經(jīng)過UV防止胞外聚合物對后續(xù)處理的污染。經(jīng)炭濾處理去除小分子有機物后，進入RO系統(tǒng)進行一次預脫鹽：

  ④純水制備產生的RO濃水，水質濁度低，含鹽量相對較高。進入濃水收集水箱，與工業(yè)廢水RO系統(tǒng)產生的濃水進行混合。進行EDI（膜分鹽系統(tǒng)）處理后，產生的淡液經(jīng)過 PH調整后，進行膜回收處理后回用。

  ⑤EDI濃水收集后，作為介質濾器的反洗水；中央空調冷卻循環(huán)補水，多余水作為雜用水，或溢流到應急水池廢水處理。

預計處理效率

表3 廢水膜處理和濃水回收減量數(shù)據(jù)表