厭氧處理工藝是漓源環(huán)保在工業(yè)污水處理工程經(jīng)常使用的工藝之一。厭氧處理工藝需要隔斷發(fā)酵系統(tǒng)與空氣中氧的接觸，使發(fā)酵液中盡可能地沒有溶解氧存在。厭氧環(huán)境是厭氧消化過程賴以正常進行的重要的條件，在實際運行當中，系統(tǒng)與空氣的完全隔段能夠保證發(fā)酵具有良好的厭氧環(huán)境。

厭氧環(huán)境的主要標志是發(fā)酵液具有較低的氧化還原電位。某種化學物質(zhì)的氧化還原電位是該物質(zhì)由其還原態(tài)向其氧化態(tài)流動的電位差，而一個體系的氧化還原電位是由該體系中所能形成氧化還原電位的化學物質(zhì)的存在狀態(tài)決定的。體系中的氧化態(tài)物質(zhì)占比例越高，其氧化化還原電位越高，形成的環(huán)境就越不適于厭氧微生物的生長，因為所形成的環(huán)境是好氧環(huán)境，反之同理。

發(fā)酵系統(tǒng)氧化還原電位升高的原因不僅有有氧進入系統(tǒng)的關(guān)系，還有一些氧化劑或氧化態(tài)物質(zhì)存在的關(guān)系，如一些工業(yè)廢水中的鐵離子、酸性廢液中的氫離子等，當這些物質(zhì)的濃度達到一定程度的時候，同樣會危害厭氧消化過程的進行，因此，體系中的氧化還原電位更能夠全面的反應發(fā)酵液所處的厭氧狀態(tài)。

在厭氧消化處理系統(tǒng)中，產(chǎn)甲烷菌對氧和氧化還原劑非常的敏感，原因是它不像好氧菌那樣具有過氧化氫酶，對厭氧反應器內(nèi)介質(zhì)中氧的濃度可以由氧化還原電位來表示達。相關(guān)研究表面，產(chǎn)甲烷菌初始繁殖時所需的環(huán)境條件為氧化還原電位不能高于-330mV。在厭氧消化過程中，不產(chǎn)甲烷階段可在兼性條件下完成，此時的氧化還原電位為+0.1~-0.1V；而在產(chǎn)甲烷階段，氧化還原電位必須控制在-0.3~-0.35與-0.56~-0.6V，產(chǎn)甲烷階段氧化還原電位的臨界值為-0.2V。

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